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本土需求爆發！國產功率半導體賽道開跑
2022-03-07
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近年來，功率半導體的市場規模呈穩健增長態勢。根據IHS Markit數據顯示，預計至 2021年全球功率器件市場規模將增長至441億美元。具體到中國，作為全球最大的功率半導體消費市場2021年市場規模有望達到159億美元。
極具潛力的市場空間，再加上第三代半導體材料應用在國內的蓬勃發展，目前國內功率半導體產業鏈也正在日趨完善，涌現出不少能提供優質功率半導體產品的企業。
由芯師爺主辦、深福保集團冠名的“2020 硬核中國芯”評選活動，以表彰國內優秀半導體企業，激勵國產企業加大IC產品與技術研發力度。本次評選中，功率半導體類別共有6家企業入選參評“硬核中國芯——2020年度國產功率芯片評選”，本文盤點了入選企業功率半導體產品，為市場提供優質功率半導體選型。
（注：以下排序僅為介紹產品，不代表評選名次）
分立式絕緣柵雙極型晶體管SGTQ160U65SDM1PW
所屬企業：杭州士蘭微電子股份有限公司
SGTQ160U65SDM1PW產品是基于士蘭微電子自主知識產權的新一代Trench FS IV+ 工藝平臺開發的分立式絕緣柵雙極型晶體管。具有低導通損耗與開關損耗，高功率密度、正溫度系數等特點。主要適用于微型新能源車電機控制器領域。
? 導通壓降：1.6V(典型值)@IC=160A
? 最大結溫：Tjmax=175℃
? 額定電壓：650V
? 短路能力：>6uS@25℃
? 二極管導通壓降：1.45V
價格競爭力：
士蘭微電子SGTQ160U65SDM1PW產品的對標國際大牌，總體性能表現略優于競品，價格低于競品，有較強的競爭優勢，目前已經在國內多家整機廠通過初步測試，正處于產品推廣階段。
技術創新：
SGTQ160U65SDM1PW產品采用了士蘭自主開發的Trench FS IV+ 工藝平臺開發制作IGBT器件，優化了IGBT的器件晶胞結構，調整器件發射區元胞間距尺寸，進而提升了IGBT器件在導通時柵極下方PIN二極管區域的少數載流子的濃度，降低器件飽和壓降，同時降低了芯片厚度，進一步優化了飽和壓降和關斷損耗，實現了Eoff與Vcesat的折中優化。
客戶服務：
隨著新能源汽車的推廣，電機控制器廠家的技術實力提高，控制器領域客戶逐漸掌握分立器件并聯的技術方案。SGTQ160U65SDM1PW產品方案相對原有的IGBT模塊，具有明顯的成本優勢，將可能成為小微車型的主流方案，目前已成功應用于電動轎跑EV項目，客戶使用穩定，形成了良好的口碑,并為多家客戶群體服務。
1700V3000m?SiC MOS
所屬企業：派恩杰半導體（杭州）有限公司
1700V3000mΩ SiC MOS 針對高壓輔助電源應用而開發，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導通電阻Rds(on), 使得其適用與工業電機驅動，光伏和儲能逆變器，UPS輔助電源設計。
價格競爭力：SiC MOS由于具有更小的開關損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上，這極大減少了制造成本，提高了系統的可靠性。
技術創新： 與使用Si器件相比，采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的電壓，更小的Rds(on),可以采用1個 SiC MOS構成更為簡單的反激電路實現，從而大幅減小了元器件數量，設計更簡單，驅動設計更容易，縮短開發周期，因此可以用于200V 至1000V輸入的反激式拓撲中。SiC MOS由于具有更小的開關損耗，更小的損耗同時意味著可以工作在更高的開關頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業設備實現顯著小型化、高可靠性和節能化，達到了國際領先水平，填補了國內空白。
客戶服務： 強大研發能力，支持定制化設計。國內本地化團隊，響應時間短。
市場銷量： 本季度計劃取得100萬產品訂單，明年訂單突破千萬。
G51XT 650V1A SOD123
所屬企業：泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
G51XT 650V1A SOD123 碳化硅肖特基二極管在開關電源電路中的應用，能更好地讓電路工作在高頻狀態，減小電路中電感等元件體積重量，而由于碳化硅肖特基二極管優良的耐溫性能和低損耗特性，讓電路中熱沉的體積重量得到改善，便于優化電路的熱設計，與此同時，應用了SOD123封裝形式的該款器件，為功率二極管小型化提出了解決方案，更好的貼合對器件小型化和產品功率密度改善有要求的客戶需求。
價格競爭力：作為一家國產品牌，我們的價格相較于國外競品品牌極具競爭力，且在該款器件上，我們是第一家市場化的公司，而相較于硅的快恢復二極管器件，碳化硅二極管的應用會帶來系統層面成本的改善。
技術創新：使用SOD123這種封裝形式做sic 器件為全球首創，為了成功實現這一目標，我們優化了器件設計和生產工藝。
客戶服務：作為一家國產品牌，我們作為原廠給予客戶的技術和信息支持更加直接和迅速，我們相較于國外競品品牌也有一半甚至更短的交期。
市場銷量：該款型號剛進入市場，但參考我們公司的同列產品其他型號，我們已實現貨kk級供貨，在不同類型客戶中，均有良好的市場占有率和口碑反饋率。
1200V 碳化硅MOSFET
所屬企業：瑞能半導體科技股份有限公司
瑞能1200V 碳化硅MOSFET 采用緊湊的元胞設計、出色MOS溝道氮化工藝和超薄的襯底厚度使得產品具有業內同類產品中較低的比導通電阻，產品同時具有較穩定的閾值電壓，高溫高頻下仍然可以安全的開通和關斷，瑞能碳化硅MOSFET在性能優異的基礎上同時具備高可靠性。
價格競爭力：受益于極低的比導通電阻，單片晶圓上產出更多的有效芯片數目，同時采用多項增強器件魯棒性的芯片設計，顯著提升了產品良率。
技術創新：采用瑞能專利的離子注入工藝設計，使得以業內難題著稱的碳化硅MOSFET薄弱的柵極氧化層區得到了有效保護，產品柵極氧化層在長期極端應力下仍表現出出色的魯棒性。
客戶服務：瑞能半導體作為已成立五十多年的功率芯片廠商，長期以優異的表現服務于國內外的消費級和工業級客戶，得到了大中小客戶的長期好評。
市場銷量：碳化硅MOSFET作為第三代半導體器件中的明星產品，隨著碳化硅晶圓材料和工藝技術的日趨成熟，在電動汽車、工業電源等市場前景巨大。而多年來，瑞能碳化硅二極管產品銷量在國內市場一直名列前茅，擁有廣泛而堅實的寬禁帶器件用戶基礎。
SL13N50F
所屬企業：深圳市薩科微slkor科技有限公司
薩科微自主研發生產的SL13N50F內阻小、發熱量低、性價比高。有更優的性能及抗雪崩能力。廣泛應用于戶外照明、戶外顯示屏電源等行業。該器件大大提高了戶外照明的工作效率、降低了產品成本。
高PF無頻閃驅動ICRSC6105S
所屬企業：廣東瑞森半導體科技有限公司
高PF無頻閃驅動ICRSC6105S 是瑞森半導體自主創新線路產品，單級實現高PF無頻閃的LLC方案, PF可達0.99，頻閃指標<1，方案滿足國家教育照明的指標。該芯片可以直接驅動上下橋臂MOS，一致性好，產線直通率優秀，達到99%直通率;有效降低了元器件個數，提升了產品可靠性與性價比。
瑞森半導體配有資深的FAE工程師為客戶提供專業的技術服務與指導，可以為客戶提供定制方案的服務。
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