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激光二極管特點(diǎn)及用途-薩科微半導(dǎo)體
2024-11-19
1020
激光二極管充分利用直進(jìn)性、微小光斑尺寸 (數(shù)um～)、單色性、高光密度、相干性 (coherent) 這些特點(diǎn)，被用在各種應(yīng)用上面。
晶體管的主要功能-薩科微半導(dǎo)體
2024-07-04
861
晶體管的主要功能是放大和開關(guān)電信號(hào)。它在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用，例如在收音機(jī)中，晶體管能夠放大從空中傳輸過(guò)來(lái)的微弱信號(hào)，然后通過(guò)揚(yáng)聲器播放出來(lái)，這就是晶體管的放大功能。
柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌
2024-05-11
1034
柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌是指在功率半導(dǎo)體器件（如MOSFET和IGBT）工作時(shí)，由于電壓和電流的變化導(dǎo)致柵極和源極之間出現(xiàn)的意外、瞬時(shí)的電壓波動(dòng)現(xiàn)象。這種現(xiàn)象通常會(huì)在開關(guān)操作時(shí)出現(xiàn)，特別是在高速開關(guān)過(guò)程中更為顯著。
LS MOSFET低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作
2024-05-10
912
LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。與導(dǎo)通時(shí)的事件之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系：
SiC MOSFET低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
2024-05-09
582
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)發(fā)生變化。在這個(gè)過(guò)程中，LS的ID沿增加方向流動(dòng)，而HS的ID沿減少方向流動(dòng)，受到等效電路圖中表示的事件影響，產(chǎn)生了電動(dòng)勢(shì)。這個(gè)電動(dòng)勢(shì)會(huì)導(dǎo)致電流流向源極側(cè)對(duì)CGS進(jìn)行充電，在LS處將VGS向下推，在HS處將VGS向負(fù)極側(cè)拉，產(chǎn)生負(fù)浪涌。
當(dāng)SiC MOSFET橋式電路開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的電流和電壓是怎樣的？
2024-05-01
922
dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負(fù)，因此它們產(chǎn)生的電流和電壓在導(dǎo)通（Turn-on）和關(guān)斷（Turn-off）時(shí)的極性是不同的。
SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路
2024-04-30
806
LS（低側(cè)）側(cè)SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）的影響時(shí)，需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路在內(nèi)的等效電路。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，區(qū)別在哪？
2024-04-25
1022
SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，具有以下區(qū)別： 驅(qū)動(dòng)電壓 由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性，其驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高時(shí)，導(dǎo)通電阻越低。SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻從Vgs約為20V開始變化（下降）并逐漸減小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅(qū)動(dòng)，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。換句話說(shuō)，兩者之間的區(qū)別之一是SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓要比S
碳化硅MOS管（SiC-MOSFET）的特征
2024-04-23
970
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET在開關(guān)關(guān)斷時(shí)降低了損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。
SiC-SBD的特征是什么與Si二極管相比有什么不同
2024-04-14
767
SiC肖特基勢(shì)壘二極管為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。這種結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征是具備高速特性。
碳化硅（SiC）是什么？
2024-04-11
986
SiC是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。它具有強(qiáng)大的結(jié)合性質(zhì)，在熱、化學(xué)和機(jī)械方面非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體，每種多型體的物理特性都不同。其中，4H-SiC多型體最適合功率器件。
整流橋的應(yīng)用
2023-04-12
648
整流橋可將交流發(fā)動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?，以?shí)現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進(jìn)行充電。限制蓄電池電流倒轉(zhuǎn)回發(fā)動(dòng)機(jī)，保護(hù)交流發(fā)動(dòng)機(jī)不被燒壞。
對(duì)穩(wěn)壓二極管如何進(jìn)行識(shí)別判斷？
2023-04-10
698
穩(wěn)壓二極管根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔，也正是它的這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。然而穩(wěn)壓二極管也是有所區(qū)分的，對(duì)穩(wěn)壓二極管如何進(jìn)行識(shí)別判斷？
肖特基勢(shì)壘二極管相關(guān)的物理機(jī)制可根據(jù)哪些特性參量考量
2023-03-30
603
肖特基勢(shì)壘二極管相關(guān)的物理機(jī)制可根據(jù)哪些特性參量考量，肖特基勢(shì)壘二極管的電學(xué)特性優(yōu)劣的主要參數(shù)有正向?qū)妷?、反向漏電流密度及擊穿電壓?
肖特基勢(shì)壘二極管的等效電路和伏安特性
2023-03-29
638
不同材料和結(jié)構(gòu)的肖特基勢(shì)壘二極管電路形式一樣，元件的具體參數(shù)不同。接下來(lái)我們來(lái)了解一下肖特基二極管的等效電路和伏安特性。
薩科微肖特基勢(shì)壘二極管基本結(jié)構(gòu)
2023-03-29
586
薩科微Slkor肖特基二極管在風(fēng)力發(fā)電、電源設(shè)備、充電樁等多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，由于肖特基二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，在這些領(lǐng)域都能起到不錯(cuò)的作用，接下來(lái)我們一起了解一下肖特基二極管的結(jié)構(gòu)是怎樣的。
肖特基二極管都有哪些有點(diǎn)和不足？
2023-03-17
571
肖特基二極管是一種熱載流子二極管，在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，IC及TTL集成電路中也有廣泛應(yīng)用。肖特基二極管（SBD）表現(xiàn)出來(lái)的優(yōu)勢(shì)還是比較突出的，自然它也有它的不足之處。
SBD肖特基勢(shì)壘二極管
2023-03-16
946
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。
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