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三者核心差異集中在效率、頻率、成本及可靠性上，適配場(chǎng)景差異顯著：

硅基器件（如硅 MOS、IGBT）技術(shù)成熟、成本低，開(kāi)關(guān)頻率通常＜100kHz，熱阻較高，適合30W以下快充、家電變頻器等中低壓、對(duì)成本敏感的場(chǎng)景。

碳化硅（SiC）器件擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的 10 倍，開(kāi)關(guān)頻率達(dá)200 - 500kHz，最高結(jié)溫200℃，適配電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器等中高壓、對(duì)效率和散熱要求高的場(chǎng)景。

氮化鎵（GaN）器件開(kāi)關(guān)損耗極低，開(kāi)關(guān)頻率輕松突破 1MHz，無(wú)反向恢復(fù)問(wèn)題，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，主要用于65W以上快充、數(shù)據(jù)中心電源、激光雷達(dá)等高頻場(chǎng)景。

【簡(jiǎn)介】

薩科微有碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復(fù) 功率二極管等高端產(chǎn)品，可滿足新能源汽車、高端裝備、通訊電力、太陽(yáng)能光 伏、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)需求；薩科微通用型產(chǎn)品有肖特基二極管、 ESD靜電保護(hù)二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管等通用二極管和三極管，功率器件 有高中低壓的MOS管、可控硅、橋堆等，和電源管理芯片LDO、AC-DC、DC-DC 芯片系列、還有傳感器、高速光耦、晶振等為客戶提供配套服務(wù)，在智能手機(jī) 、手提電腦、機(jī)器人、智慧家居、物聯(lián)網(wǎng)、LED照明、3C數(shù)碼、智能穿戴品、萬(wàn)物智聯(lián)等產(chǎn)品上面廣泛應(yīng)用！薩科微的兄弟公司——金航標(biāo)，產(chǎn)品銷往世 界各地，服務(wù)超一萬(wàn)家客戶，產(chǎn)品有北斗GPS雙模天線、藍(lán)牙、WiFi、Zigbee、NB-IoT、LORA、UWB、天線系列，及配套的射頻轉(zhuǎn)接線；現(xiàn)在產(chǎn)品拓展到板 與線的各種連接器、板端座子、接插件、信號(hào)開(kāi)關(guān)系列；及汽車摩托車線束，工業(yè)、醫(yī)療、科研用特種線材，非標(biāo)定制品等三大系列，與薩科微一起為電子 整機(jī)產(chǎn)品公司提供配套服務(wù)。