2022-04-12
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在傳統以及準諧振反激形式應用中,由于MOS導通時的電壓較高(基本都在150V以上),特別是高壓的輸入條件下,會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI干擾,影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現,很好的解決了這些痛點。 先從反激應用電路開始分析,再轉到ZVS零電壓開關電路應用一. 反激應用中MOSFET的損耗分析 MOSFET的損耗主要包括如下幾個部分:1. 導通損耗導通損耗是比較容易理解的,即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。降低這個損耗也
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